[Menuju Akhir]
[Kembali ke Menu Sebelumnya]
1.Tujuan [Kembali]
tujuan dari materi ini adalah untuk mengkur atau menentukan besar tegangan,arus dan tahanan suatu rangkaian yang nantinya adalah untuk membuat transistor yang ada didepannya dapat bekerja,dengan mengonversi besar resistor yang digunakan dan untuk mengetahui cara kerja volatage divider bias
2.Komponen [Kembali]
· Transistor NPN
Transistor NPN mengalirkan arus negatif dari emitor ke kolektor. Emitor berperan sebagai input dan kolektor berperan sebagai output apabila transistor tersebut diberikan arus positif pada basisnya.
· Resistor
Fungsi resistor adalah penghambat arus listrik yang mengalir pada suatu rangkaian.Cara menghitung nilai resistansi resistor dengan gelang warna :
1. Masukan angka langsung dari kode warna gelang pertama.
2. Masukan angka langsung dari kode warna gelang kedua.
3. Masukan angka langsung dari kode warna gelang ketiga.
4. Masukkan jumlah nol dari kode warna gelang keempat atau pangkatkan angka tersebut dengan 10 (10^n) dan dikalikan ke ketiga warna gelang tadi.
5. Gelang kelima ini merupakan nilai toleransi dari resistor.
· Kapasitor
Fungsi kapasitor adalah Sebagai Penyimpan arus atau tegangan listrik. Sebagai Konduktor yang dapat melalui arus AC (Alternating Current) Sebagai Isolator yang menghambat arus DC (Direct Current).Satuan Kapasitansi Kapasitor adalah Farad, tetapi Farad adalah satuan yang besar untuk sebuah Kapasitor yang umum dipakai oleh Peralatan Elektronik. Oleh Karena itu, Satuan-satuan yang merupakan turunan dari Farad menjadi pilihan utama produsen dalam memproduksi sebuah Kapasitor agar dapat digunakan oleh peralatan Elektronika. Satuan-satuan tersebut diantaranya adalah : Micro Farad (µF), Nano Farad (nF) dan Piko Farad (pF ).
Berikut ini adalah ukuran turunan Farad yang umum digunakan dalam menentukan Nilai Kapasitansi sebuah Kapasitor :
1 Farad = 1.000.000µF (mikro Farad)
1µF = 1.000nF (nano Farad)
1µF = 1.000.000pF (piko Farad)
1nF = 1.000pF (piko Farad)
· VCC
Instrumen :
a. Voltmeter
DC Voltmeter merupakan alat yang digunakan untuk mengukur besar tengangan pada suatu komponen. Cara pemakaiannya adalah dengan memparalelkan kaki2 Voltmeter dengan komponen yang akan diuji tegangannya.
Berikut adalah Spesifikasi dan keterangan Probe DC Volemeter
b). Baterai (Battery)
Baterai (Battery) adalah sebuah sumber energi yang dapat merubah energi kimia yang disimpannya menjadi energi listrik yang dapat digunakan seperti perangkat elektronik.
Tampilan baterai pada aplikasi Proteus
Tampilan baterai asli
3.Dasar Teori [Kembali]
RrRangkaian voltage divider bias:
Voltage-divider Bias merupakan arus bias yang didapatkan dari tegangan di R2 dari hubungan VCC seri dengan R1 dan R2 seperti gambar 4.28. Konfigurasi voltage divider bias pada gambar 4.28 jika dianalisis secara tepat, sensitivitas terhadap perubahan beta cukup kecil. Jika parameter rangkaian dipilih dengan benar, level ICQ dan VCEQ yang dihasilkan dapat hampir sepenuhnya tidak bergantung pada beta. Titik Q didefinisikan oleh tingkat tetap ICQ dan VCEQ seperti yang ditunjukkan pada gambar 4.29. Tingkat IBQ akan berubah dengan perubahan dalam beta, tetapi titik operasi pada karakteristik yang didefinisikan oleh ICQ dan VCEQ dapat tetap tetap jika parameter rangkaian yang tepat digunakan.
Untuk analisis dc jaringan gambar 4.28 dapat digambar ulang seperti yang ditunjukkan pada gambar 4.30. Sisi input dari rangkaian dapat digambar ulang seperti yang ditunjukkan pada gambar 4.31 untuk analisis dc. Rangkaian sebelah kiri bisa dianalisis menggunakan metoda Thevenin.
Sumber tegangan diganti dengan hubungan arus pendek seperti yang ditunjukkan pada gambar 4.32. Sehingga bisa didapatkan rumus Rth. Lalu, sumber tegangan Vcc dikembalikan seperti rangkaian semula seperti pada gambar 4.33 dan bisa didapatkan rumus Eth.
Setelah medapatkan Rth dan Eth, maka rangkaian bisa diubah seperti pada gambar 4.34. Lalu bisa didapatkan Ib dengan persamaan:
kemudian IB diketahui, sisa jumlah jaringan dapat ditemukan dengan cara yang sama seperti yang dikembangkan untuk konfigurasi bias emitor. Yaitu:
Kejenuhan Transistor
Sirkuit kolektor-emitor keluaran untuk konfigurasi pembagi tegangan mempunyai penampilan yang sama dengan rangkaian bias-emitor yang dianalisis pada Bagian 4.4. Persamaan yang dihasilkan untuk arus jenuh (ketika VCE diatur ke nol volt pada skema) karena itu sama dengan yang diperoleh untuk konfigurasi bias-emitor. Itu adalah,
Analisis Load-Line
Kesamaan dengan rangkaian output dari konfigurasi bias-emitter menghasilkan persimpangan yang sama untuk garis beban konfigurasi pembagi tegangan.
Di sini konfigurasi transistor emitor yang umum bias menggunakan jaringan pembagi tegangan untuk meningkatkan stabilitas. Nama konfigurasi biasing ini berasal dari fakta bahwa dua resistor RB1 dan RB2 membentuk jaringan pembagi tegangan atau potensial di seluruh catu dengan sambungan titik pusatnya menghubungkan terminal dasar transistor seperti yang ditunjukkan.
Voltage divider bias ini adalah metode biasing transistor yang paling banyak digunakan. Dioda emitor dari transistor maju bias dengan nilai tegangan yang dikembangkan melintasi resistor RB2. Selain itu, rangkaian voltage divider membuat sirkuit transistor tidak tergantung pada perubahan beta karena tegangan biasing yang ditetapkan pada basis transistor, emitor, dan terminal kolektor tidak tergantung pada nilai rangkaian eksternal.
Untuk menghitung tegangan yang dikembangkan melintasi resistor RB2 dan oleh karena itu tegangan yang diterapkan ke terminal dasar kita cukup menggunakan rumus pembagi tegangan untuk resistor secara seri. Umumnya penurunan tegangan melintasi resistor RB2 jauh lebih sedikit daripada resistor RB1. Jelas tegangan basis transistor VB sehubungan dengan ground, akan sama dengan tegangan di RB2. Jumlah arus biasing yang mengalir melalui resistor RB2 umumnya ditetapkan 10 kali dari nilai arus basis IB yang diperlukan sehingga cukup tinggi untuk tidak berpengaruh pada arus pembagi tegangan atau perubahan Beta.
3a.Example [Kembali]
EXAMPLE 4.8 Determine the dc bias voltage V CE and the current I C for the voltagedivider configuration of Fig. 4.35 .
EXAMPLE 4.9 Repeat the analysis of Fig. 4.35 using the approximate technique, and
compare solutions for ICQ and VCEQ.
EXAMPLE 4.10 Repeat the exact analysis of Example 4.8 if b is reduced to 50, and compare solutions for ICQ and V
EXAMPLE 4.11 Determine the levels of ICQ and VCEQ for the voltage-divider configuration of Fig. 4.37 using the exact and approximate techniques and compare solutions. In this
case, the conditions of Eq. (4.33) will not be satisfied and the results will reveal the difference in solution if the criterion of Eq. (4.33) is ignored.
3b.Problem [Kembali]
15. Untuk konfigurasi bias pembagi tegangan pada Gambar 4.125, tentukan: a. IBQ. B. ICQ. C. VCEQ. D. V C. e. VE . F. VB
16. A. Ulangi soal 15 untuk b 140 menggunakan pendekatan umum (bukan perkiraan). B. Level apa yang paling terpengaruh? Mengapa
17. Mengingat informasi yang diberikan pada Gambar 4.126, tentukan: a. Daya C . B. VE . C. VB. D. R1 .
3c.Pilihan Ganda [Kembali]
1.Warna coklat pada resistor memiliki nilai?
a.1
b.3
c.5
2.Fungsi dari voltage divider bias configuration adalah?
a.untuk menentukan arah arus
b.untuk mengukur atau menentukan besar tegangan
c.untuk mengalirkan arus
3.Fungsi dari VCC
a.sebagai hamabatan
b.sebagai sumber arus
c.sebagai sumber tegangan
4.Prinsip Kerja [Kembali]
Di sini konfigurasi transistor emitor yang umum bias menggunakan jaringan pembagi tegangan untuk meningkatkan stabilitas. Nama konfigurasi biasing ini berasal dari fakta bahwa dua resistor RB1 dan RB2 membentuk jaringan pembagi tegangan atau potensial di seluruh catu dengan sambungan titik pusatnya menghubungkan terminal dasar transistor seperti yang ditunjukkan.
Voltage divider bias ini adalah metode biasing transistor yang paling banyak digunakan. Dioda emitor dari transistor maju bias dengan nilai tegangan yang dikembangkan melintasi resistor RB2. Selain itu, rangkaian voltage divider membuat sirkuit transistor tidak tergantung pada perubahan beta karena tegangan biasing yang ditetapkan pada basis transistor, emitor, dan terminal kolektor tidak tergantung pada nilai rangkaian eksternal.
Untuk menghitung tegangan yang dikembangkan melintasi resistor RB2 dan oleh karena itu tegangan yang diterapkan ke terminal dasar kita cukup menggunakan rumus pembagi tegangan untuk resistor secara seri. Umumnya penurunan tegangan melintasi resistor RB2 jauh lebih sedikit daripada resistor RB1. Jelas tegangan basis transistor VB sehubungan dengan ground, akan sama dengan tegangan di RB2. Jumlah arus biasing yang mengalir melalui resistor RB2 umumnya ditetapkan 10 kali dari nilai arus basis IB yang diperlukan sehingga cukup tinggi untuk tidak berpengaruh pada arus pembagi tegangan atau perubahan Beta.
Langkah - langkah Percobaan
- Untuk membuat rangkaian ini, pertama, siapkan semua alat dan bahan yang bersangkutan, di ambil dari library proteus
- Letakkan semua alat dan bahan sesuai dengan posisi dimana alat dan bahan terletak.
- Tepatkan posisi letak nya dengan gambar rangkaian
- Selanjutnya, hubungkan semua alat dan bahan menjadi suatu rangkaian yang utuh
- Lalu mencoba menjalankan rangkaian , jika tidak terjadi error, maka rangkaian akan berfungsi yang berarti rangkaian bekerja
1. Rangkaian 4.28
2. Rangkaian 4.30
3. Rangkaian 4.31
4. Rangkaian 4.32
9. Rangkaian 4.37
5.Simulasi Rangkaian [Kembali]
- Rangkaian 4.28
.png)
2. rangkaian 4.30
3. rangkaian 4.31
.png)
4.rangkaian 4.32
.png)
5. ranglaian 4.33
.png)
6.rangkaian 4.34
.png)
7. rangkaian 4.35
.png)
8.rangkaian 4.36
.png)
9. rangkaian 4.37
.png)
6.Video [Kembali]
2. Rangkaian 4.30
3. Rangkaian 4.31
4. Rangkaian 4.32
5. Rangkaian 4.33
6. Rangkaian 4.34
7. Rankaian 4.35
8. Rangkaian 4.36
9. Rangkaian 4.37
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
Tidak ada komentar:
Posting Komentar